化工行業(yè)的全球領(lǐng)導(dǎo)者 SABIC 今天推出了 LNP? KONDUIT? 8TF36E 化合物，這是一種新型特種材料，有助于滿足用于對雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 進行壓力測試的老化測試插座 (BiTS) 的嚴格要求) 存儲器集成電路 (IC)。隨著 DDR IC 引腳數(shù)量和測試溫度的增加以及尺寸的縮小，BiTS 組件中使用的材料必須具有增強的性能。SABIC 的新化合物提供非常高的流動性，有助于實現(xiàn)復(fù)雜的小型化 BiTS 設(shè)計；出色的尺寸穩(wěn)定性和耐高溫性，可在測試過程中增強 BiTS 功能；和高導(dǎo)熱性，以迅速散發(fā)熱量。

與導(dǎo)熱填充尼龍等現(xiàn)有材料相比，LNP KONDUIT 8TF36E 化合物具有更高的流動性和更好的尺寸穩(wěn)定性。客戶可以從使用這種新材料中獲益，它可以滿足他們的所有需求。

LNP & NORYL 業(yè)務(wù)管理總監(jiān) Joshua Chiaw 表示：“DDR 內(nèi)存 IC 的需求正在穩(wěn)步增長，這要歸功于移動設(shè)備和 PC 以外的應(yīng)用的擴展，例如依賴高數(shù)據(jù)速率的汽車和云計算系統(tǒng)?！鄙程鼗A(chǔ)工業(yè)公司。“為了評估下一代 DDR IC，老化測試插座需要具有改進性能的新材料解決方案——而 SABIC 正在解決這一未滿足的需求。我們對高性能材料的持續(xù)投資表明了我們對半導(dǎo)體行業(yè)的堅定承諾?！?/span>

測試性能

雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器 IC 每個處理器時鐘周期獲取兩次數(shù)據(jù)，可加速數(shù)據(jù)傳輸以滿足游戲、人工智能和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的高吞吐量需求。這項技術(shù)給測試插座制造商帶來了更大的壓力，他們的產(chǎn)品必須適應(yīng)更高的電壓、更高的溫度環(huán)境、更小的外形尺寸和更多的引腳。由于這些原因，DDR IC 的 BiTS 設(shè)計需要高精度、高耐用性和可操作性。

LNP KONDUIT 8TF36E 化合物具有高流動性，有助于實現(xiàn)具有許多針點的小型化和復(fù)雜設(shè)計。在測試過程中，它可以輕松承受 150°C 的典型測試溫度，同時保持良好的尺寸穩(wěn)定性，有助于提高測量精度。這種高熱能力可能允許 BiTS 重復(fù)使用而不會降解。此外，LNP KONDUIT 8TF36E 化合物可以承受高達 260°C 的極端溫度，從而具備滿足未來更高熱 BiTS 要求的能力。最后，為了在測試后快速散熱，新產(chǎn)品提供了高達 4.5W/mk 的高導(dǎo)熱系數(shù)

這種新的 SABIC 化合物非常適用于 BiTS 組件中的固定結(jié)構(gòu)部件，包括閂鎖和適配器。

“存儲芯片的進步對老化測試插座提出了新的要求，”SABIC 亞太地區(qū)配方與應(yīng)用總監(jiān) Jenny Wang 說。“隨著 DDR IC 功率的增加，溫度控制對于驗證 BiTS 系統(tǒng)中的所有設(shè)備在可靠性測試期間是否均勻受壓至關(guān)重要。我們的新型 LNP KONDUIT 材料實現(xiàn)了現(xiàn)有材料無法實現(xiàn)的目標。它不僅具有高導(dǎo)熱性，而且還具有有助于成功測試的其他關(guān)鍵特性?！?/span>

新的 LNP KONDUIT 8TF36E 化合物已在全球上市。